1. 製做SIP的一般流程
FilpChip-BGA的流程包括:晶圓減薄→晶圓凸點生成→晶圓切割→晶元倒裝→迴流焊接→裸晶元下部填膠→表面打標→BGA基板植球→基板迴流焊→切割分離→最終檢查→測試包裝。
FilpChip-BGA封裝前,晶圓同樣會做減薄處理,然後在晶圓上製作凸點Bump。之後進行晶圓切割,再將晶元倒裝焊接到基板上。焊接好後進行清洗,晶元底部填膠等操作,以固定晶元並克服由於晶元和基板CET不一致而導致的應力。BGA基板植球、迴流焊接、清洗、打標、切割、測試、包裝等流程與Wire Bonding-BGA基本一致。
通過兩種工藝的對比,可以看出,兩者的基本的流程是一致的,主要區別在於FlipChip倒裝焊在切割晶圓片之前要生成晶元的凸點,然後進行晶元倒裝、迴流焊接等一系列流程。
FlipChip整個工藝流程需要兩次迴流焊,包括晶元迴流焊和BGA基板迴流焊。而Wire Bonding則需要晶元粘結、鍵合、模封等過程,整個工藝流程只需要一次迴流焊。
對於SiP系統級封裝,由於是多個晶元,就有可能會遇到混合工藝的情況,即在一顆SiP封裝中既有WB晶元,也有FC晶元。目前,在實際應用中這種情況已經比較常見,在設計中經常會遇到,如所選的裸晶元中有支持WB工藝的晶元,也有支持FC工藝的晶元,就需要做混合工藝SiP的生產製造。